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文献
J-GLOBAL ID：201702253781702958
整理番号：17A1062727
ノーマリオフAlGaN/GaNH FET応用に適したp型NiO膜の合成と特性化【Powered by NICT】
Synthesis and characterization of p-type NiO films suitable for normally-off AlGaN/GaN HFETs application
Li Liuan
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
Wang Wenjing
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
He Liang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
Zhang Jialin
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
Wu Zhisheng
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
Zhang Baijun
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
Liu Yang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
,
Liu Yang
(Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 67 ページ： 141-146 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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