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文献
J-GLOBAL ID：201702254014989466
整理番号：17A0221989
ヒドラジンドーピングにより高性能化されたMoS2ベースの電界効果トランジスタ
High performance MoS2-based field-effect transistor enabled by hydrazine doping
LIM Dongsuk
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KANNAN E S
(BITS-PILANI, Goa, IND)
,
LEE Inyeal
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
RATHI Servin
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LI Lijun
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LEE Yoontae
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KHAN Muhammad Atif
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KANG Moonshik
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KANG Moonshik
(Samsung Electronics Co., Hwasung, KOR)
,
PARK Jinwoo
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM Gil-Ho
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 27 号： 22 ページ： 225201,1-6 発行年： 2016年06月03日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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