文献
J-GLOBAL ID:201702254043301652
整理番号:17A1077167
準二次元h-BN/β-Ga2O3ヘテロ構造金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ
Quasi-Two-Dimensional h-BN/β-Ga2O3 Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor
著者 (4件):
KIM Janghyuk
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
MASTRO Michael A.
(US Naval Res. Lab., Columbia, USA)
,
TADJER Marko J.
(US Naval Res. Lab., Columbia, USA)
,
KIM Jihyun
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
25
ページ:
21322-21327
発行年:
2017年06月28日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)