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文献
J-GLOBAL ID：201702254051024642
整理番号：17A0965005
高信頼性ゲート絶縁体と体ダイオードを用いた3.3kV4H-SiC DMOSFET【Powered by NICT】
3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with highly reliable gate insulator and body diode
Shima A.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Shimizu H.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Mori Y.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Sagawa M.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Konishi K.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Fujita R.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Ishigaki T.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Tega N.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Kobayashi K.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Sato S.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Shimamoto Y.
(Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ECSCRM ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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