文献
J-GLOBAL ID:201702254099501546
整理番号:17A0751043
3次元電界効果トランジスタ応用のための垂直に形成されたグラフェンストライプ【Powered by NICT】
Vertically Formed Graphene Stripe for 3D Field-Effect Transistor Applications
著者 (4件):
Hong Seul Ki
(Department of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 305-701, Korea)
,
Bong Jae Hoon
(Department of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 305-701, Korea)
,
Cho Byung Jin
(Department of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 305-701, Korea)
,
Hwang Wan Sik
(Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, 412-791, Korea)
資料名:
Small
(Small)
巻:
13
号:
3
ページ:
ROMBUNNO.201602373
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2348A
ISSN:
1613-6810
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)