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文献
J-GLOBAL ID：201702254228921810
整理番号：17A0953411
金属-半導体-金属紫外線光検出器のためのInZnO半導体薄膜へのゾル-ゲル誘導Mgの取込み
Incorporation of sol-gel-derived Mg into InZnO semiconductor thin films for metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
TSAY Chien-Yie
(Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
,
WU Po-Hsien
(Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 3S ページ： 03BA02.1-03BA02.4 発行年： 2017年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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