文献
J-GLOBAL ID:201702254271721384
整理番号:17A1568546
モノリシック集積枯渇/エンハンスメントモードInAlN/GaNヘテロ構造H EMTトランジスタの性能解析【Powered by NICT】
Performance analysis of monolithically integrated depletion-/enhancement-mode InAlN/GaN heterostructure HEMT transistors
著者 (7件):
Nagy Lukas
(Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia)
,
Chvala Ales
(Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia)
,
Stopjakova Viera
(Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia)
,
Blaho Michal
(Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 3484/9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Kuzmik Jan
(Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 3484/9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Gregusova Dagmar
(Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 3484/9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Satka Alexander
(Slovak University of Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
AE
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)