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文献
J-GLOBAL ID：201702254290140350
整理番号：17A1036238
大面積CVDグラフェンRFトランジスタのESD挙動:物理的洞察および技術的意味合い【Powered by NICT】
ESD behavior of large area CVD graphene RF transistors: Physical insights and technology implications
Kranthi N. K.
(Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India)
,
Mishra Abhishek
(Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India)
,
Meersha Adil
(Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India)
,
Shrivastava Mayank
(Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IRPS ページ： 3F-1.1-3F-1.6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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