文献
J-GLOBAL ID:201702254308876183
整理番号:17A0617199
原子層堆積手法で得たAu/ZnO/n-Siデバイスの温度依存性C-V特性
Temperature-dependent C-V characteristics of Au/ZnO/n-Si device obtained by atomic layer deposition technique
著者 (5件):
KOCYIGIT A.
(Igdir Univ., Igdir, TUR)
,
ORAK I.
(Bingoel Univ., Bingoel, TUR)
,
AYDOGAN S.
(Ataturk Univ., Erzurum, TUR)
,
CALDIRAN Z.
(Ataturk Univ., Erzurum, TUR)
,
TURUT A.
(Istanbul Medeniyet Univ., Istanbul, TUR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
8
ページ:
5880-5886
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)