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J-GLOBAL ID：201702254402908120 整理番号：17A0759232

多層六方晶窒化ほう素の結晶粒界支援バイポーラとしきい値抵抗スイッチングの共存【Powered by NICT】

Coexistence of Grain-Boundaries-Assisted Bipolar and Threshold Resistive Switching in Multilayer Hexagonal Boron Nitride

著者 (16件)：

Pan Chengbin

(Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)

Ji Yanfeng

(Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)

Xiao Na

(Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)

Hui Fei

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA)

Tang Kechao

(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, CA, 94305, USA)

Guo Yuzheng

(Rowland Institute, Harvard University, Cambridge, MA, 02142, USA)

Xie Xiaoming

(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China)

Puglisi Francesco M.

(DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, 42122, Reggio Emilia, Italy)

Larcher Luca

(DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, 42122, Reggio Emilia, Italy)

Miranda Enrique

(Electronic Engineering Department, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193, Cerdanyola del Valles, Spain)

Jiang Lanlan

(Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)

Shi Yuanyuan

(Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)

Valov Ilia

(Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425, Juelich, Germany)

McIntyre Paul C.

(Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, CA, 94305, USA)

Waser Rainer

(Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425, Juelich, Germany)

Lanza Mario

(Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)

資料名：

Advanced Functional Materials (Advanced Functional Materials)

巻： 27 号： 10 ページ： ROMBUNNO.201604811 発行年： 2017年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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