文献
J-GLOBAL ID:201702254440653182
整理番号:17A0966025
トンネルFETに基づくリフレッシュ自由DRAM【Powered by NICT】
Tunnel FET based refresh-free-DRAM
著者 (5件):
Gupta Navneet
(MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France)
,
Makosiej Adam
(LETI, Commissariat a` l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives (CEA-LETI) France)
,
Vladimirescu Andrei
(MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France)
,
Amara Amara
(MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France)
,
Anghel Costin
(MINARC Laboratory, Institut Superieur d’Electronique de Paris (ISEP) France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DATE
ページ:
914-917
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)