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文献
J-GLOBAL ID：201702254470574032
整理番号：17A0362311
光起電力応用のための化学的に堆積させたMoSb_2 xCu_xSe_4/CdS薄膜吸収層の特性に及ぼす銅濃度の影響【Powered by NICT】
Effect of copper concentration on the properties of chemically deposited MoSb2-xCuxSe4/CdS thin film absorbing layer for photovoltaic applications
Joy Jeba Vijila J.
(Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli, 627012, Tamilnadu, India)
,
Mohanraj K.
(Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli, 627012, Tamilnadu, India)
,
Sivakumar G.
(CISL, Department of Physics, Annamalai University, Annamalai Nagar, 608002, Tamilnadu, India)
資料名：
Materials Research Bulletin
(Materials Research Bulletin)
巻： 85 ページ： 188-195 発行年： 2017年
JST資料番号： B0954A ISSN： 0025-5408 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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