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文献
J-GLOBAL ID：201702254578423938
整理番号：17A0644075
バルク単結晶Ga2O3の誘導結合プラズマエッチング
Inductively coupled plasma etching of bulk, single-crystal Ga2O3
Yang Jiancheng
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Ahn Shihyun
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Ren Fan
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Pearton Stephen
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Khanna Rohit
(Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716)
,
Bevlin Kristen
(Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716)
,
Geerpuram Dwarakanath
(Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716)
,
Kuramata Akito
(Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 3 ページ： 031205-031205-7 発行年： 2017年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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