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文献
J-GLOBAL ID：201702254618700758
整理番号：17A0749438
不揮発性メモリ書込みを併用した再構成可能磁気論理【Powered by NICT】
Reconfigurable Magnetic Logic Combined with Nonvolatile Memory Writing
Luo Zhaochu
(Key Laboratory of Advanced Materials (MOE) and Beijing National Center for Electron Microscopy, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Lu Ziyao
(Key Laboratory of Advanced Materials (MOE) and Beijing National Center for Electron Microscopy, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Xiong Chengyue
(Key Laboratory of Advanced Materials (MOE) and Beijing National Center for Electron Microscopy, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhu Tao
(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100084, China)
,
Wu Wei
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhang Qiang
(Division of Physical Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 239955, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Wu Huaqiang
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhang Xixiang
(Division of Physical Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 239955, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Zhang Xiaozhong
(Key Laboratory of Advanced Materials (MOE) and Beijing National Center for Electron Microscopy, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 29 号： 4 ページ： ROMBUNNO.201605027 発行年： 2017年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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