文献
J-GLOBAL ID:201702254690424386
整理番号:17A0412375
ドープしたシリコン底電極を用いたW/Si-3N_4/Siメモリ素子の単極抵抗スイッチング特性【Powered by NICT】
Unipolar resistive switching characteristics of W/Si3N4/Si memory devices with doped silicon bottom electrodes
著者 (2件):
Kim Sungjun
(Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
,
Park Byung-Gook
(Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
資料名:
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻:
17
号:
2
ページ:
146-151
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1579A
ISSN:
1567-1739
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)