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文献
J-GLOBAL ID：201702254950909271
整理番号：17A0765922
高純度半絶縁性基板上の4H-SiC MESFETの物理的シミュレーションと実験結果【Powered by NICT】
Physical simulations and experimental results of 4H-SiC MESFETs on high purity semi-insulating substrates
Chen Cang
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Bai Song
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Li Zhe-Yang
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Wu Peng
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Chen Zheng
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Han Pin
(Department of Physics, Nanjing University)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 18 号： 10 ページ： 4474-4478 発行年： 2009年10月
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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