文献
J-GLOBAL ID:201702254950909271
整理番号:17A0765922
高純度半絶縁性基板上の4H-SiC MESFETの物理的シミュレーションと実験結果【Powered by NICT】
Physical simulations and experimental results of 4H-SiC MESFETs on high purity semi-insulating substrates
著者 (6件):
Chen Cang
(Department of Physics, Nanjing University)
,
Bai Song
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Li Zhe-Yang
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Wu Peng
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Chen Zheng
(Nanjing Electronic Devices Institute)
,
Han Pin
(Department of Physics, Nanjing University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
18
号:
10
ページ:
4474-4478
発行年:
2009年10月
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)