文献
J-GLOBAL ID:201702255129407241
整理番号:17A0222658
InAs/GaAs量子ドット太陽電池の高飽和強度と室温中間バンド概念実現への影響
High saturation intensity in InAs/GaAs quantum dot solar cells and impact on the realization of the intermediate band concept at room-temperature
著者 (2件):
Li Tian
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA)
,
Dagenais Mario
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
6
ページ:
061107-061107-5
発行年:
2017年02月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)