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文献
J-GLOBAL ID：201702255141886264
整理番号：17A0475050
三重ゲートフィンFETと横方向ゲートオールアラウンドナノワイヤFETのためのドーピング戦略の進歩とデバイス性能への影響【Powered by NICT】
Advances on doping strategies for triple-gate finFETs and lateral gate-all-around nanowire FETs and their impact on device performance
Veloso A.
(Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
,
De Keersgieter A.
(Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
,
Matagne P.
(Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
,
Horiguchi N.
(Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
,
Collaert N.
(Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62 ページ： 2-12 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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