文献
J-GLOBAL ID:201702255168599686
整理番号:17A0548977
Siイオンが注入されたソース・ドレインのエンハンスメントモードGa2O3・MOSFET
Enhancement-Mode Ga2O3 MOSFETs with Si-Ion-Implanted Source and Drain
著者 (5件):
WONG Man Hoi
(National Inst. of Information and Communications Technol.)
,
NAKATA Yoshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol.)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp.)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp.)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol.)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
64th
ページ:
ROMBUNNO.15p-315-14
発行年:
2017年03月01日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)