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文献
J-GLOBAL ID：201702255174255142
整理番号：17A1570540
gMRAM高密度に埋め込まれた貯蔵とその場計算のための利得細胞磁気抵抗ランダムアクセスメモリ【Powered by NICT】
gMRAM: Gain-cell magnetoresistive random access memory for high density embedded storage and in-situ computing
Kazemi Mohammad
(Electrical and Computer Engineering Department, University of Rochester, Rochester, New York 14627)
,
Bocko Mark F.
(Electrical and Computer Engineering Department, University of Rochester, Rochester, New York 14627)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： MWSCAS ページ： 405-408 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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