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文献
J-GLOBAL ID：201702255267935660
整理番号：17A0965698
異なる前駆体を用いた充填によるWゲートを特徴とする22nm PMOSの低周波雑音特性【Powered by NICT】
Low frequency noise characterization of 22nm PMOS featuring with filling W gate using different precursors
Liang He
(Imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)
,
Simoen Eddy
(Imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)
,
Claeys Cor
(Imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)
,
Wang Guilei
(Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
,
Luo Jun
(Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
,
Zhao Chao
(Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
,
Li Junfeng
(Key laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
,
Hua Chen
(School of Advanced |Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710126, China)
,
Yin Hu
(School of Advanced |Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710126, China)
,
Xiaoting Qin
(School of Advanced |Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710126, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： CSTIC ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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