文献
J-GLOBAL ID:201702255282925393
整理番号:17A0444957
CuMgAl合金バッファ層を用いたCuメタライゼーションの性質【Powered by NICT】
The properties of Cu metallization based on CuMgAl alloy buffer layer
著者 (6件):
Yu Zhinong
(School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China)
,
Xue Jianshe
(Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China)
,
Yao Qi
(Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China)
,
Li Zhengliang
(Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China)
,
Hui Guanbao
(Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China)
,
Xue Wei
(School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
170
ページ:
16-20
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)