文献
J-GLOBAL ID:201702255376093515
整理番号:17A1637392
N基板工程を用いた集積回路における寄生垂直NPN開口によるESD故障の解析【Powered by NICT】
Analysis of ESD failure due to parasitic vertical NPN opening in integrated circuits with N-substrate process
著者 (7件):
Wang Guangyang
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
,
Sun Guipeng
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
,
Qi Shukun
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
,
Meng Zeng
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
,
Chen Yongnan
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
,
Zhang Sen
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
,
Yang Tao
(CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IPFA
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)