文献
J-GLOBAL ID:201702255459289862
整理番号:17A0453596
低温,溶液処理薄膜トランジスタのためのp型銅酸化物のin situ一段階合成【Powered by NICT】
In situ one-step synthesis of p-type copper oxide for low-temperature, solution-processed thin-film transistors
著者 (9件):
Liu Ao
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao 266071, China. gxliu@qdu.edu.cn fukaishan@yahoo.com)
,
Nie Shengbin
,
Liu Guoxia
,
Zhu Huihui
,
Zhu Chundan
,
Shin Byoungchul
,
Fortunato Elvira
,
Martins Rodrigo
,
Shan Fukai
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
10
ページ:
2524-2530
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)