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文献
J-GLOBAL ID：201702255509349200
整理番号：17A1220743
有機金属気相エピタキシによるGaN二極性選択領域成長における界面形成機構の解析
Analysis of interface formation mechanism in GaN double-polarity selective-area growth by metalorganic vapor phase epitaxy
KUZE Kenta
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
OSUMI Noriyuki
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUJITA Yohei
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
INOUE Yoku
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NAKANO Takayuki
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 5S ページ： 05FA05.1-05FA05.6 発行年： 2016年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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