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文献
J-GLOBAL ID：201702255586829501
整理番号：17A1641116
GaN垂直トレンチMOSFETの素子性能に及ぼす溝寸法の影響【Powered by NICT】
Impact of Trench Dimensions on the Device Performance of GaN Vertical Trench MOSFETs
Gupta Chirag
(University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Ji Dong
(University of California at Davis, Davis, CA, USA)
,
Chan Silvia H.
(University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Agarwal Anchal
(University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Leach William
(University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Keller Stacia
(University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Chowdhury Srabanti
(University of California at Davis, Davis, CA, USA)
,
Mishra Umesh K.
(University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 11 ページ： 1559-1562 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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