文献
J-GLOBAL ID:201702255696485273
整理番号:17A1125371
原子層蒸着したHfAlO_xゲート誘電体における調節Al_2O_3組成をもつゲートラストFDSOIトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の改善された性能【Powered by NICT】
Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al2O3 composition in atomic layer deposited HfAlOx gate dielectrics
著者 (3件):
Lim Donghwan
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
,
Lee Jae Ho
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
,
Choi Changhwan
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
178
ページ:
266-270
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)