文献
J-GLOBAL ID:201702255699419553
整理番号:17A0759470
In_xGa_1xN/GaNヘテロ構造における界面転位【Powered by NICT】
Interface dislocations in InxGa1-xN/GaN heterostructures
著者 (5件):
Li Q. T.
(CIMAP UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050, Caen Cedex, France)
,
Minj A.
(CIMAP UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050, Caen Cedex, France)
,
Chauvat M. P.
(CIMAP UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050, Caen Cedex, France)
,
Chen J.
(CIMAP UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050, Caen Cedex, France)
,
Ruterana P.
(CIMAP UMR 6252, CNRS ENSICAEN UCBN CEA, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050, Caen Cedex, France)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
214
号:
4
ページ:
ROMBUNNO.201600442
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)