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文献
J-GLOBAL ID:201702255731698252   整理番号:17A0825956

高k/金属ゲートスタックにおける双極子大きさ誘導Vtシフトに及ぼすLaとAl添加物の役割の定量的解析【Powered by NICT】

Quantitative Analysis of La and Al Additives Role on Dipole Magnitude Inducing Vt Shift in High-K/Metal Gate Stack
著者 (4件):
Suarez-Segovia C.
(STMicroelectronics, Crolles, France)
Leroux C.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France)
Domengie F.
(STMicroelectronics, Crolles, France)
Ghibaudo G.
(IMEP-LAHC, MINATEC Campus, Grenoble, France)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 38  号:ページ: 379-382  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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