文献
J-GLOBAL ID:201702255731698252
整理番号:17A0825956
高k/金属ゲートスタックにおける双極子大きさ誘導Vtシフトに及ぼすLaとAl添加物の役割の定量的解析【Powered by NICT】
Quantitative Analysis of La and Al Additives Role on Dipole Magnitude Inducing Vt Shift in High-K/Metal Gate Stack
著者 (4件):
Suarez-Segovia C.
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Leroux C.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France)
,
Domengie F.
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Ghibaudo G.
(IMEP-LAHC, MINATEC Campus, Grenoble, France)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
3
ページ:
379-382
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)