文献
J-GLOBAL ID:201702256046060978
整理番号:17A1033169
CuキャップCo-C層からのSiO_2上の多層グラフェンの直接堆積のための電流増強固体相析出(CE SPP)【Powered by NICT】
Current enhanced solid phase precipitation (CE-SPP) for direct deposition of multilayer graphene on SiO2 from a Cu capped Co-C layer
著者 (2件):
Ichikawa Hiroyasu
(Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology (SIT), Tokyo, Japan)
,
Ueno Kazuyoshi
(Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology (SIT), Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EDTM
ページ:
244-246
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)