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J-GLOBAL ID:201702256085779594   整理番号:17A1388120

短波赤外検出のためのInGaAs/GaAsSbタイプII超格子に基づくフォトダイオード【Powered by NICT】

InGaAs/GaAsSb Type-II superlattice based photodiodes for short wave infrared detection
著者 (8件):
Uliel Y.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
Uliel Y.
(Applied Physics Department, Hebrew University, Jerusalem, Israel)
Cohen-Elias D.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
Sicron N.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
Grimberg I.
(SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel)
Snapi N.
(SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel)
Paltiel Y.
(Applied Physics Department, Hebrew University, Jerusalem, Israel)
Katz M.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)

資料名:
Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)

巻: 84  ページ: 63-71  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0184A  ISSN: 1350-4495  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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