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文献
J-GLOBAL ID：201702256142920348
整理番号：17A0955314
Schottky障壁ダイオード壁集積化トレンチMOSFETの4H-SiC m面{1<span style=text-decoration:overline>1</span>00}上のSchottky障壁高さの評価
Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m-face {1<span style=text-decoration:overline>1</span>00} for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET
KOBAYASHI Yusuke
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI Yusuke
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
ISHIMORI Hiroshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA Akimasa
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOJIMA Takahito
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA Takahito
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKEI Manabu
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKEI Manabu
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA Hiroshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KIMURA Hiroshi
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
HARADA Shinsuke
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 4S ページ： 04CR08.1-04CR08.6 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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