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文献
J-GLOBAL ID：201702256200906477
整理番号：17A1005259
グラフェン膜上に作製されたNiOx/GaNマイクロディスクアレイを用いたフレキシブル抵抗ランダムアクセスメモリ素子
Flexible resistive random access memory devices by using NiOx /GaN microdisk arrays fabricated on graphene films
LEE Keundong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Jong-woo
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
TCHOE Youngbin
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON Jiyoung
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
CHUNG Kunook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON Hosang
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sangik
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
YOON Chansoo
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Bae Ho
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
YI Gyu-Chul
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 28 号： 20 ページ： 205202,1-5 発行年： 2017年05月19日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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