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文献
J-GLOBAL ID：201702256232137711
整理番号：17A1181682
進行FDSOI技術における鋭いスイッチングバンド変調バックゲート素子【Powered by NICT】
Sharp-switching band-modulation back-gated devices in advanced FDSOI technology
El Dirani Hassan
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
El Dirani Hassan
(Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
,
Fonteneau Pascal
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
Solaro Yohann
(Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
,
Legrand Charles-Alex
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
Marin-Cudraz David
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
Ferrari Philippe
(Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
,
Cristoloveanu Sorin
(Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 128 ページ： 180-186 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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