文献
J-GLOBAL ID:201702256321869593
整理番号:17A0885716
バルクトラップ電荷を持つ固有チャネルMOSFETのしきい値電圧の解析モデル【Powered by NICT】
An Analytical Model for the Threshold Voltage of Intrinsic Channel MOSFET Having Bulk Trap Charges
著者 (4件):
Jo Hyunwoo
(School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Choi Seongwook
(School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Rhee Sungman
(School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Park Young June
(School of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
2113-2120
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)