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文献
J-GLOBAL ID：201702256329340951
整理番号：17A1023946
三重ヘテロ接合トンネルFETのマルチスケールモデリング【Powered by NICT】
A Multiscale Modeling of Triple-Heterojunction Tunneling FETs
Huang Jun Z.
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Long Pengyu
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Povolotskyi Michael
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Ilatikhameneh Hesameddin
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Ameen Tarek A.
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Rahman Rajib
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Rodwell Mark J. W.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Klimeck Gerhard
(Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 6 ページ： 2728-2735 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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