文献
J-GLOBAL ID:201702256337392523
整理番号:17A0204228
二重結合と段階焼なましプロセスを用いたMo基板上に極端に階層的多孔質構造熱安定GaNテンプレートの作製【Powered by NICT】
Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process
著者 (5件):
Wang Qing
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University)
,
Liu Yang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University)
,
Sun Yongjian
(College of Engineering, Peking University)
,
Tong Yuzhen
(Sino Nitride Semiconductor Ltd.)
,
Zhang Guoyi
(Sino Nitride Semiconductor Ltd.)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
8
ページ:
083001-1-083001-4
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)