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文献
J-GLOBAL ID：201702256337392523
整理番号：17A0204228
二重結合と段階焼なましプロセスを用いたMo基板上に極端に階層的多孔質構造熱安定GaNテンプレートの作製【Powered by NICT】
Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process
Wang Qing
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University)
,
Liu Yang
(School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University)
,
Sun Yongjian
(College of Engineering, Peking University)
,
Tong Yuzhen
(Sino Nitride Semiconductor Ltd.)
,
Zhang Guoyi
(Sino Nitride Semiconductor Ltd.)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 8 ページ： 083001-1-083001-4 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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