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文献
J-GLOBAL ID：201702256452499067
整理番号：17A0132718
各種の有機前駆体を用いたSiO2の低温原子層堆積法
Low-temperature-atomic-layer-deposition of SiO2 using various organic precursors
Ahn Sehyoung
(Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea)
,
Kim Yunsu
(Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea)
,
Kang Sangyeoul
(Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea)
,
Im Kivin
(Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea)
,
Lim Hanjin
(Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35 号： 1 ページ： 01B131-01B131-4 発行年： 2017年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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