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文献
J-GLOBAL ID：201702256701972224
整理番号：17A0363809
金属前駆体の硫化によるCu_2FeSnS_4薄膜の成長機構の研究【Powered by NICT】
Investigate the growth mechanism of Cu2FeSnS4 thin films by sulfurization of metallic precursor
Meng Xiankuan
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
,
Deng Hongmei
(Laboratory for Microstructures, Shanghai University, 99 Shangda Rd, Shanghai 200444, China)
,
Zhang Qiao
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
,
Sun Lin
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
,
Yang Pingxiong
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
,
Chu Junhao
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 186 ページ： 138-141 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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