文献
J-GLOBAL ID:201702256741880936
整理番号:17A1261682
マルチサブバンドモンテカルロシミュレータにおけるバンド間トンネリング現象の実装:シリコンTFETへの応用【Powered by NICT】
Implementation of Band-to-Band Tunneling Phenomena in a Multisubband Ensemble Monte Carlo Simulator: Application to Silicon TFETs
著者 (6件):
Medina-Bailon Cristina
(Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain)
,
Padilla Jose L.
(Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain)
,
Sampedro Carlos
(Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain)
,
Alper Cem
(Nanoelectronic Devices Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Gamiz Francisco
(Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain)
,
Ionescu Adrian Mihai
(Nanoelectronic Devices Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
8
ページ:
3084-3091
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)