文献
J-GLOBAL ID:201702256825017399
整理番号:17A0591753
埋込み伝導層を持つ高性能マイクロ波アニール酸化インジウム・ガリウム・亜鉛薄膜トランジスタ
High-Performance Microwave-Annealed Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film-Transistors with Buried Conductive Layers
著者 (2件):
LIM Cheol-Min
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Won-Ju
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3401-3405
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)