文献
J-GLOBAL ID:201702256833490666
整理番号:17A0769461
分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAsベース変成長波長InAs量子ドット【Powered by NICT】
GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
著者 (8件):
WANG Peng-Fei
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
XIONG Yong-Hua
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
WANG Hai-Li
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
HUANG She-Song
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
NI Hai-Qiao
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
XU Ying-Qiang
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
HE Zhen-Hong
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
NIU Zhi-Chuan
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
26
号:
6
ページ:
260-263
発行年:
2009年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)