文献
J-GLOBAL ID:201702256836270013
整理番号:17A0666058
75nmゲートInAlAs/InGaAsH EMTにおける採用非対称ゲートリセス及び二重側ドープ構造によるf_max910GHzまでの増強【Powered by NICT】
Enhancement of $f_{¥mathrm {max}}$ to 910 GHz by Adopting Asymmetric Gate Recess and Double-Side-Doped Structure in 75-nm-Gate InAlAs/InGaAs HEMTs
著者 (7件):
Takahashi Tsuyoshi
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Kawano Yoichi
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Makiyama Kozo
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Shiba Shoichi
(Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan.)
,
Sato Masaru
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Nakasha Yasuhiro
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Hara Naoki
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
1
ページ:
89-95
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)