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文献
J-GLOBAL ID：201702256864380100
整理番号：17A0759443
AsとSb系高電子移動度トランジスタの雑音特性に関する比較研究【Powered by NICT】
Comparative study on noise characteristics of As and Sb-based high electron mobility transistors
Takahashi Takuto
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan)
,
Hatsushiba Shota
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan)
,
Fujikawa Sachie
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan)
,
Fujishiro Hiroki I.
(Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 3 ページ： ROMBUNNO.201600599 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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