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文献
J-GLOBAL ID：201702256910985548
整理番号：17A0362531
発光ダイオードモジュールの劣化に及ぼすストレス負荷試験法の影響【Powered by NICT】
Effects of stress-loading test methods on the degradation of light-emitting diode modules
Cai Miao
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Yang Daoguo
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Zheng Jianna
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Huang Jianlin
(Institute of Microsystems and Nanoelectronics (Dimes), Delft University of Technology, Delft, The Netherlands)
,
Liu Dongjing
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Xiao Jing
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Zhang Ping
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Zhang Guoqi
(School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China)
,
Zhang Guoqi
(Institute of Microsystems and Nanoelectronics (Dimes), Delft University of Technology, Delft, The Netherlands)
,
Chen Xianping
(College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 64 ページ： 635-639 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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