文献
J-GLOBAL ID:201702256921583943
整理番号:17A0551829
ブロードバンド光吸収性のInGaN光アノードのインプリント援助パターニングおよびZnOナノワイヤ成長によるエネルギー変換
Broadband light-absorption InGaN photoanode assisted by imprint patterning and ZnO nanowire growth for energy conversion
著者 (11件):
KANG Junjie
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
DANG Vinh Quang
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
LI Hongjian
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
MOON Sungjin
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
LI Panpan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
KIM Yangdoo
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Chaehyun
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Jinyoung
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Hakjong
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
LIU Zhiqiang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LEE Heon
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
28
号:
4
ページ:
045401,1-7
発行年:
2017年01月27日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)