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文献
J-GLOBAL ID:201702256921583943   整理番号:17A0551829

ブロードバンド光吸収性のInGaN光アノードのインプリント援助パターニングおよびZnOナノワイヤ成長によるエネルギー変換

Broadband light-absorption InGaN photoanode assisted by imprint patterning and ZnO nanowire growth for energy conversion
著者 (11件):
KANG Junjie
(Korea Univ., Seoul, KOR)
DANG Vinh Quang
(Korea Univ., Seoul, KOR)
LI Hongjian
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
MOON Sungjin
(Korea Univ., Seoul, KOR)
LI Panpan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
KIM Yangdoo
(Korea Univ., Seoul, KOR)
KIM Chaehyun
(Korea Univ., Seoul, KOR)
CHOI Jinyoung
(Korea Univ., Seoul, KOR)
CHOI Hakjong
(Korea Univ., Seoul, KOR)
LIU Zhiqiang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
LEE Heon
(Korea Univ., Seoul, KOR)

資料名:
Nanotechnology  (Nanotechnology)

巻: 28  号:ページ: 045401,1-7  発行年: 2017年01月27日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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