文献
J-GLOBAL ID:201702256936415623
整理番号:17A0661923
InGaAs/GaAsヘテロ構造中の転位とミスフィット歪緩和との関係【Powered by NICT】
Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures
著者 (10件):
Li Jinping
(State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, P. R. China. miaogq@ciomp.ac.cn)
,
Miao Guoqing
,
Zeng Yugang
,
Zhang Zhiwei
,
Li Dabing
,
Song Hang
,
Jiang Hong
,
Chen Yiren
,
Sun Xiaojuan
,
Li Zhiming
資料名:
CrystEngComm
(CrystEngComm)
巻:
19
号:
1
ページ:
88-92
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2462A
ISSN:
1466-8033
CODEN:
CRECF4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)