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文献
J-GLOBAL ID：201702256967308235
整理番号：17A0661463
電荷捕獲と活性チャネル層のためのブラックリン2Dナノシートに基づく不揮発性電荷注入メモリ【Powered by NICT】
Nonvolatile Charge Injection Memory Based on Black Phosphorous 2D Nanosheets for Charge Trapping and Active Channel Layers
Lee Young Tack
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea)
,
Lee Junyeong
(Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 03722, South Korea)
,
Ju Hyunsu
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea)
,
Lim Jung Ah
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea)
,
Yi Yeonjin
(Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 03722, South Korea)
,
Choi Won Kook
(Materials and Life Science Research Division, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea)
,
Choi Won Kook
(Department of Nanomaterials and Nano Science, Korea University of Science and Technology (KUST), Daejeon, 34113, South Korea)
,
Hwang Do Kyung
(Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Post-Silicon Semiconductor Institute, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea)
,
Hwang Do Kyung
(Department of Nanomaterials and Nano Science, Korea University of Science and Technology (KUST), Daejeon, 34113, South Korea)
,
Im Seongil
(Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 03722, South Korea)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 26 号： 31 ページ： 5701-5707 発行年： 2016年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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