文献
J-GLOBAL ID:201702257004279838
整理番号:17A0203801
InAlAs上の原子層蒸着したAl_2O_3とHfO_2:界面構造及び電気特性の比較研究【Powered by NICT】
Atomic-layer-deposited Al_2O_3 and HfO_2 on InAlAs: A comparative study of interfacial and electrical characteristics
著者 (4件):
Wu Lifan
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Yuming
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Lv Hongliang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Yimen
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
10
ページ:
108101-1-108101-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)