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文献
J-GLOBAL ID:201702257034498536   整理番号:17A0399668

閉鎖空間昇華法によるCdZnTe基板上のHg_1Cd-x Te蒸着【Powered by NICT】

Hg1- Cd x Te vapor deposition on CdZnTe substrates by Closed Space Sublimation technique
著者 (7件):
Rubio Sandra
(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)
Sochinskii Nikolai V.
(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)
Repiso Eva
(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)
Tsybrii Zinoviia
(Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kiev, Ukraine)
Sizov Fiodor
(Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kiev, Ukraine)
Plaza Jose Luis
(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)
Dieguez Ernesto
(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 457  ページ: 211-214  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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